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筆記本內(nèi)存ddr匯總

格式:DOC 上傳日期:2023-04-30 18:41:44
筆記本內(nèi)存ddr匯總
時間:2023-04-30 18:41:44     小編:zdfb

每個人都曾試圖在平淡的學習,、工作和生活中寫一篇文章。寫作是培養(yǎng)人的觀察,、聯(lián)想,、想象、思維和記憶的重要手段,。大家想知道怎么樣才能寫一篇比較優(yōu)質(zhì)的范文嗎,?下面是小編幫大家整理的優(yōu)質(zhì)范文,僅供參考,,大家一起來看看吧,。

筆記本內(nèi)存ddr篇一

從pc100標準開始內(nèi)存條上帶有spd芯片,spd芯片是內(nèi)存條正面右側(cè)的一塊8管腳小芯片,,里面保存著內(nèi)存條的速度,、工作頻率、容量,、工作電壓,、cas、trcd,、trp,、tac、spd版本等信息,。當開機時,,支持spd功能的主板bios就會讀取spd中的信息,按照讀取的值來設置內(nèi)存的存取時間,。我們可以借助sisoftsandra2001這類工具軟件來查看spd芯片中的信息,,例如軟件中顯示的sdrampc133u-333-542就表示被測內(nèi)存的技術規(guī)范,。

內(nèi)存技術規(guī)范統(tǒng)一的標注格式,一般為pcx-xxx-xxx,,但是不同的內(nèi)存規(guī)范,,其格式也有所不同。

(1)1.0---1.2版本

這類版本內(nèi)存標注格式為:pca-bcd-efgh,,例如pc100-322-622r,,其中a表示標準工作頻率,用mhz表示(如66mhz,、100mhz,、133mhz等);b表示最小的cl(即cas縱列存取等待時間),用時鐘周期數(shù)表示,,一般為2或3;c表示最少的trcd(ras相對cas的延時),,用時鐘周期數(shù)表示,一般為2;d表示trp(ras的預充電時間),,用時鐘周期數(shù)表示,,一般為2;e表示最大的tac(相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間),一般為6(ns)或6,。5,,越短越好;f表示spd版本號,所有的pc100內(nèi)存條上都有eeprom,,用來記錄此內(nèi)存條的相關信息,,符合intelpc100規(guī)范的為1。2版本以上;g代表修訂版本;h代表模塊類型;r代表dimm已注冊,,256mb以上的內(nèi)存必須經(jīng)過注冊,。

(2)1.2b+版本

其格式為:pca-bcd-eeffghr,例如pc100-322-54122r,,其中a表示標準工作頻率,,用mhz表示;b表示最小的cl(即cas縱列存取等待時間),用時鐘周期數(shù)表示,,一般為2或3;c表示最少的trcd(ras相對cas的延時),,用時鐘周期數(shù)表示;d表示trp(ras的預充電時間),用時鐘周期數(shù)表示;ee代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間,,表達時不帶小數(shù)點,,如54代表5.4nstac;ff代表spd版本,如12代表spd版本為1.2;g代表修訂版本,,如2代表修訂版本為1.2;h代表模塊類型;r代表dimm已注冊,,256mb以上的'內(nèi)存必須經(jīng)過注冊。

威盛和英特爾都提出了pc133sdram標準,威盛力推的pc133規(guī)范是pc133cas=3,,延用了pc100的大部分規(guī)范,,例如168線的sdram、3.3v的工作電壓以及spd;英特爾的pc133規(guī)范要嚴格一些,,是pc133cas=2,,要求內(nèi)存芯片至少7.5ns,在133mhz時最好能達到cas=2,。pc133sdram標注格式為:pcab-cde-ffg,,例如pc133u-333-542,其中a表示標準工作頻率,,單位mhz;b代表模塊類型(r代表dimm已注冊,,u代表dimm不含緩沖區(qū);c表示最小的cl(即cas的延遲時間),用時鐘周期數(shù)表示,,一般為2或3;d表示ras相對cas的延時,用時鐘周期數(shù)表示;e表示ras預充電時間,,用時鐘周期數(shù)表示;ff代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間,,表達時不帶小數(shù)點,如54代表5.4nstac;g代表spd版本,,如2代表spd版本為2.0,。

其格式為:pcab-ccde-ffg,例如pc2100r-2533-750,,其中a表示內(nèi)存帶寬,,單位為mb/s;a*1/16=內(nèi)存的標準工作頻率,例如2100代表內(nèi)存帶寬為2100mb/s,,對應的標準工作頻率為2100*1/16=133mhz;b代表模塊類型(r代表dimm已注冊,,u代表dimm不含緩沖區(qū);cc表示cas延遲時間,用時鐘周期數(shù)表示,,表達時不帶小數(shù)點,,如25代表cl=2.5;d表示ras相對cas的延時,用時鐘周期數(shù)表示;e表示ras預充電時間,,用時鐘周期數(shù)表示;ff代表相對于時鐘下沿的數(shù)據(jù)讀取時間,,表達時不帶小數(shù)點,如75代表7.5nstac;g代表spd版本,,如0代表spd版本為1.0,。

其格式為:amb/bcdpce,例如256mb/16eccpc800,,其中a表示內(nèi)存容量;b代表內(nèi)存條上的內(nèi)存顆粒數(shù)量;c代表內(nèi)存支持ecc;d保留;e代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率,,e*1/2=內(nèi)存的標準工作頻率,例如800代表內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸率為800mt/s,對應的標準工作頻率為800*1/2=400mhz,。

內(nèi)存打假的方法除了識別內(nèi)存標注格式外,,還可以利用刻在內(nèi)存芯片上的編號。內(nèi)存條上一般有多顆內(nèi)存芯片,,內(nèi)存芯片因為生產(chǎn)廠家的不同,,其上的編號也有所不同。由于韓國hy和sec占據(jù)了世界內(nèi)存產(chǎn)量的多半份額,,它們產(chǎn)的內(nèi)存芯片質(zhì)量穩(wěn)定,,價格不高,另外市面上還流行l(wèi)gs,、kingmax,、金邦金條等內(nèi)存,先來看看它們的內(nèi)存芯片編號,。

(1)hyundai(現(xiàn)代)

現(xiàn)代的sdram內(nèi)存兼容性非常好,,支持dimm的主板一般都可以順利的使用它,其sdram芯片編號格式為:

其中hy代表現(xiàn)代的產(chǎn)品;5a表示芯片類型(57=sdram,,5d=ddrsdram);b代表工作電壓(空白=5v,,v=3.3v,u=2.5v);cde代表容量和刷新速度(16=16mbits、4kref,,64=64mbits,、8kref,65=64mbits,、4kref,,128=128mbits、8kref,,129=128mbits,、4kref,256=256mbits,、16kref,,257=256mbits、8kref);fg代

表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬(40,、80,、16、32分別代表4位,、8位,、16位和32位);h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個bank組成(1、2,、3分別代表2個,、4個和8個bank,是2的冪次關系);i代表接口(0=lvttl[lowvoltagettl]接口);j代表內(nèi)核版本(可以為空白或a、b,、c,、d等字母,越往后代表內(nèi)核越新);k代表功耗(l=低功耗芯片,,空白=普通芯片);lm代表封裝形式(jc=400milsoj,,tc=400miltsop-ii,td=13mmtsop-ii,,tg=16mmtsop-ii);no代表速度(7=7ns[143mhz],,8=8ns[125mhz],10p=10ns[pc-100cl2或3],,10s=10ns[pc-100cl3],,10=10ns[100mhz],12=12ns[83mhz],,15=5ns[66mhz]),。

例如hy57v658010ctc-10s,hy表示現(xiàn)代的芯片,,57代表sdram,,65是64mbit和4krefreshcycles/64ms,8是8位輸出,,10是2個bank,c是第4個版本的內(nèi)核,,tc是400miltsop-ⅱ封裝,,10s代表cl=3的pc-100。

第1字段由hy組成,,代表現(xiàn)代產(chǎn)品,。

第2字段代表產(chǎn)品類型,57代表dram;5d代表ddrsdram,。

第3字段代表電壓,,v代表3.3v;u代表2.5v。

第4字段代表密度和刷新,,4代表4mb(1k刷新);16代表16m(4k刷新);64代表64m(8k刷新);65代表64m(4k刷新);128代表128m(8k刷新);129代表128m(4k刷新);257代表256mb(8k刷新),。

第5字段代表數(shù)據(jù)帶寬,40代表4位;80代表8位;16代表16位;32代表32位,。

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